Hornos de procesado

AS MICRO

SISTEMA PARA LABORATORIOS 3” RTP

APLICACIONES

• Recocido térmico rápido.
• Implementación de recocido.
• Recocido de componentes semiconductores.
• Cristalización y densificación.
• Etc…

ESPECIFICACIONES

• Procesador rápido térmico tres pulgadas.
• Dedicado para aplicaciones de investigación.
• Tamaño de la muestra: algunos milímetros cuadrados hasta 3” de diámetro.
• Susceptor opcional de 3” para muestras de 2”.
• Tubo de cuarzo con cámara de proceso con pestañas de acero inoxidable.
• Lámparas de horno tubulares halógenas infrarrojas.
• Ratios de rampas muy rápidos.
• Puerta de movimiento horizontal con bandejas de cuarzo para una fácil carga y descarga de las obleas y la instalación del termopar.

CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO

• Rango de temperatura: RT a 1200ºC (+-1ºC).
• Ratio de rampa hasta 250ºC/s.
• Capacidad de mezcla de gases con controlador de flujo de masa.
• Rango de vacío: Atm a 10-6Torr
• El termopar de medida de temperatura y el control de temperatura rápido digital PID asegura un alto y estable control de la temperatura a lo largo del rango de temperatura.
• Control perimétrico opcional.
• El sistema está provisto de un control total a través de PC en un entorno de Windows.

AS ONE

HORNO DE PROCESADO TÉRMICO RÁPIDO DE BAJO COSTE PARA 4” Y 6”

APLICACIONES

• RTA (Recocido Rápido Térmico).
• RTO (Oxidación Rápida Térmica).
• Difusión.
• Recocido componentes semiconductores.
• Nitridacion, Silicidacion.
• Cristalización y Densificación.

ESPECIFICACIONES

• Capacidad para obleas de 4” y 6”.
• Sistema de montaje de pie para ocupar poco espacio.
• Alta fiabilidad y bajo coste de mantenimiento.
• Tecnología de paredes de cámara fría de acero inoxidable.
• Alta reproductividad del proceso.
• Entorno ultra limpio y libre de contaminación.
• Altos ratios de enfriamiento y bajo efecto de memoria.
• Disponible una versión de alto vacio (10-6mbar).
• Control perimétrico y por termopar.
• Controlador de temperatura rápido y digital PID.
• Puerto de visión borde perimétrico asegura una mejora del control de la temperatura del susceptor para componentes semiconductores y piezas pequeñas.

CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO

• Rango de temperatura: RT a 1250ºC.
• Ratio de rampa hasta 200ºC/s.
• Capacidad de mezclar gas con los controladores de flujo de masa.
• Rango de vacío: Atmosfera a 10-6 Torr.

AS MASTER

LA HERRAMIENTA VERSÁTIL RTP, RTCVD 200 MM, DESDE RT A 1400ºC BAJANDO A 10-7 TORR

APLICACIONES

• Procesado Térmico Rápido (RTA, RTO…).
• SiC recocido por contacto, Carbonización.
• Recocido componentes semiconductores.
• Control de calidad implantado.
• RTCVD (poly silicon, SiO2, SiNx…).
• Etc…

ESPECIFICACIONES

• El AS Master procesador rápido es una altamente versátil herramienta, que permite un amplio rango de procesos desde el recocido hasta la deposición químico térmica rápida por vapor.
• La versión de alta temperatura puede funcionar con procesos de recocido de hasta 1400ºC y permite el desarrollo de nuevos procesos.
• La cámara cuadrada opcional está disponible para un amplio procesado de muestras cuadradas o rectangulares.
• La tecnología de la cámara de paredes frías provee de una alta repetitividad del proceso bajo un entorno ultra limpio y libre de contaminación.
• El seguro de carga y las versiones modulares de herramientas de clúster están disponibles para mejorar entornos de proceso y la limpieza.
• El extenso rango de temperatura, el rendimiento de vacio (atmosferas a 10-7 Torr) y la capacidad de mezcla de gas hace del AS Master ideal para un largo rango de procesos RTP y RTCVD.
• La medida de temperatura perimétrica y por termopar asociada con un control de temperatura rápido digital PID provee una alta y estable precisión de la temperatura.
• La carga manual y las versiones de casete a casete hacen al sistema ideal para entornos de desarrollo de procesos y pasar a la producción.

CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO

• Rango de temperatura: RT a 1400ºC.
• Ratio de rampa hasta 200ºC/s.
• Capacidad de mezclar gases con el controlador de flujo de masa.
• Rango de vacío: Atmosfera a 10-7Torr.

LC 100

HORNO DE 4 PULGADAS LPCVD

APLICACIONES

• Silicio nitroso rico libre de estrés.
• LPCVD.
• Recocido.
• Oxidación.
• Etc…

ESPECIFICACIONES

• El LC 100 es un horno tubular de 4” para recocido y procesos de LPCVD. Está dedicado para una pequeña escala de producción y aplicaciones de investigación. Puede procesar hasta 50 obleas por proceso.
• La cámara de procesado está hecha de un tubo de cuarzo con pestañas de acero inoxidable.
• Los botes de cuarzo están sujetos por dos varillas de cuarzo ensambladas en la puerta de carga. La alta calidad, baja masa térmica, elementos para calentar proveen una respuesta térmica rápida y de baja contaminación.
• Un controlador digital de temperatura de alta calidad controla la temperatura en cada zona de calentamiento.
• El controlador tiene la capacidad de auto prepararse y una adaptación continua a los parámetros en caso de cambios en el proceso.
• Este sistema de control de temperatura da una alta precisión y reproductividad de ciclos.
• El sistema esta provisto de una línea de purga de gas y puede ser equipado con hasta 6 líneas de gas para proceso con controladores de flujo de masa.
• Este sistema puede ser preparado para aplicaciones especiales a requerimiento del cliente.

CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO

• Rango de temperatura: 500 a 1000ºC (1100ºC opcional).
• Capacidad para mezclar gases con los controladores de flujo de masa.
• Rango de vacío: Atmosfera a 10-6Torr.

MC 050

REACTOR DE BAJO COSTE 2” PARA LA INVESTIGACIÓN Y DESARROLLO

APLICACIONES

• Metales y aleaciones, óxidos, transición de metales nitrosos.
• Semiconductor: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN,...
• Alta K Dieléctrica: SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)
• Ferro eléctrica: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…
• Superconductor: YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223,…
• Piezoeléctrico: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, modificaciones de aleación de titanio-resistencia magnético colosal.
• Deposiciones Térmicas.
• Capas de tope.
• Deposiciones Mecánicas.
• Ópticos.
• Etc…

ESPECIFICACIONES

• El MC 050 de Annealsys es 2” MOCVD y Reactor Spray CVD especialmente desarrollado para alcanzar los requerimientos de la investigación y unidades de desarrollo.
• El MC 050 permite hacer hetero epitaxys de óxidos en obleas de un único cristal con el MOCVD usando un amplio rango de precursores órgano metálicos sólidos y líquidos. La versión espray CVD está también disponible.
• El MC 050 puede ser provisto con inyección directa vaporizada permitiendo el más amplio rango de utilización de recursos para el desarrollo de nuevos materiales. La lámpara infrarroja calentadora del sistema provee un recocido inmediato en la cámara de deposición.

CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO

• Rango de temperatura: RT a 800ºC.
• Capacidad de mezcla de gases con el controlador de flujo de masa.
• Rango de vacío: Atmosfera a 10-3 Torr.

MC 100

REACTOR DE BAJO COSTE MOCVD DE 4” PARA LA INVESTIGACIÓN Y DESARROLLO

APLICACIONES

• Metales y aleaciones, óxidos, transición de metales nitrosos.
• Semiconductor: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN,...
• Alta K Dieléctrica: SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST).
• Ferro eléctrica: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…
• Superconductor: YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223,…
• Piezoeléctrico: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, modificaciones de aleación de titanio- resistencia magnético colosal.
• Deposiciones Térmicas.
• Capas de tope.
• Deposiciones Mecánicas.
• Ópticos.
• Etc…

ESPECIFICACIONES

• El MC 100 de Annealsys de 4” MOCVD y Reactor Espray CVD especialmente desarrollado para alcanzar los requerimientos de la investigación y unidades de desarrollo.
• El MC 100 permite hacer hetero epitaxys de óxidos en obleas de un único cristal (como YBCO/LAO, STO/MgO, MxOy/LAO…) con el MOCVD usando un amplio rango de precursores órgano metálicos volátiles sólidos y líquidos.
• El sistema MC 100 puede ser provisto con sistemas variados de vaporización y vacio dependiendo de la aplicación.

CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO

• Rango de temperatura: RT a 800ºC.
• Capacidad de mezcla de gases con el controlador de flujo de masa.
• Rango de vacío: Atmosfera a 10-3 Torr.